รายละเอียดสินค้า
บ้าน
>
ผลิตภัณฑ์
>
R-DIMM 288 PIN ซ็อตทดสอบ DDR5 ที่กําหนดเอง ซ็อตทดสอบความจําอุตสาหกรรมและเซอร์เวอร์
ผลิตภัณฑ์
ติดต่อเรา
|
R-DIMM 288 PIN ซ็อตทดสอบ DDR5 ที่กําหนดเอง ซ็อตทดสอบความจําอุตสาหกรรมและเซอร์เวอร์
| MOQ: | 1 |
| ราคา: | Get Quote |
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด
จีน
ชื่อแบรนด์
Sireda
ได้รับการรับรอง
ISO9001
หมายเลขรุ่น
เปิดด้านบน
การติดตั้ง:
การติดตั้งสกรู
ประเภทตัวนำ:
พินเทอร์มินัล
เน้น:
ซ็อตทดสอบ DDR5 ที่กําหนดเอง
,ซ็อตทดสอบความจําของเซอร์เวอร์
,เซอร์เวอร์ DDR5 ทดสอบซ็อคเก็ต
คำอธิบายผลิตภัณฑ์
ซ็อกเก็ตทดสอบ R-DIMM 288-PIN DDR5-พร้อมใช้งานอัตโนมัติพร้อมอายุการใช้งานแบบขยาย
ออกแบบทางวิศวกรรมสำหรับการทดสอบ R-DIMM อัตโนมัติซ็อกเก็ตทดสอบ DDR5 288 พินของเราให้รอบ 50,000+ ที่เชื่อถือได้-FAR ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่าซ็อกเก็ตมาตรฐาน ระบบการติดต่อที่ดีของมันช่วยให้มั่นใจได้ถึงการเชื่อมต่อที่ปลอดภัยแม้จะมีขนาดแผ่น DIMM ขนาดเล็กลงซึ่งสำคัญสำหรับการตรวจสอบความจำของหน่วยความจำ ECC เกรดเซิร์ฟเวอร์ สร้างขึ้นสำหรับผู้ทดสอบ SMTRAM ชั้นวางแบบเบิร์นอินและสายการผลิตซ็อกเก็ตนี้ช่วยลดการสึกหรอสัมผัสและการย่อยสลายสัญญาณที่ความเร็ว DDR5-4800+ กำจัดการเปลี่ยนซ็อกเก็ตบ่อยครั้งและตรวจสอบให้แน่ใจว่ามีการทดสอบที่มั่นคงสำหรับศูนย์ข้อมูลและผู้ผลิตหน่วยความจำ
รายการสินค้า
| P/N | ชื่อผลิตภัณฑ์ | คำอธิบาย |
|---|---|---|
| 701-0000487 | ซ็อกเก็ตทดสอบ | DIMM288 0.85 มม. DDR4 |
| 701-0000495 | ซ็อกเก็ตทดสอบ | U-DIMM288 0.85 มม. DDR5 |
| 701-0000496 | ซ็อกเก็ตทดสอบ | R-DIMM288 0.85 มม. DDR5 |
| 701-0000544 | ซ็อกเก็ตทดสอบ | B SO-DIMM262 0.5 มม. DDR5 |
คุณสมบัติ
| คุณสมบัติ | ข้อมูลจำเพาะ |
|---|---|
| มีอยู่ | DDR3 / DDR4 / DDR5 DIMM (288-PIN, 1.2V-1.5V) |
| อายุขัย | รอบการแทรก 50,000+ |
| วัสดุติดต่อ | Becu (Beryllium Copper) ด้วยการชุบทอง 1µm |
| กำลังแทรก | <1.0n ต่อพิน (การออกแบบกำลังต่ำ) |
| ความสมบูรณ์ของสัญญาณ | การตรวจสอบความเร็วสูง (DDR5-6400+) พร้อมการสูญเสียสัญญาณน้อยที่สุด |
| ออกแบบ | กลไกคานสำหรับแรงดันสัมผัสที่เสถียร |
| การสนับสนุนระบบอัตโนมัติ | เข้ากันได้กับเครื่องเลือกและวางและชั้นวางทดสอบ |
| ช่วงอุณหภูมิ | -40 ° C ถึง +125 ° C (ความสามารถในการเผาไหม้) |
แอปพลิเคชัน:
- การทดสอบแบบเบิร์นอิน (อุณหภูมิสูงถึง 125 ° C)
- การตรวจสอบการทำงานของโมดูลหน่วยความจำ
- การทดสอบสัญญาณความถี่สูง (DDR5-6400+)
- การทดสอบการผลิตอัตโนมัติ
การทดสอบความเสียหายนิ้วทอง
